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[发明专利]一种标记及其制作方法-CN201910925745.1有效
发明人：范聪聪 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请涉及一种标记图形及其制作方法，所述标记包括由第一版图图形和第二版图图形制作的组合图形，利用所述第一版图图形和所述第二版图图形的整体尺寸差异以及所述第一版图图形和所述第二版图图形中整体尺寸较大者完全覆盖另一方，使得所述组合图形的整体边界轮廓和整体尺寸与所述第一版图图形和所述第二版图图形中整体尺寸较小者均相同。在工艺制程中所述第一版图图形和所述第二版图图形存在位置偏移时，确保所述组合图形的整体尺寸不变，进而保证对所述组合图形的精确识别。
一种标记及其制作方法

[发明专利]一种基于图形范围的自动切图方法-CN202310418249.3有效
发明人：王勃;劳伟权;方园;程凉;陈灏;梁锦河;吴文凯;张元庆;胡焱;周勇;黄鑫;陈付军;钟贞庆;王云祥 -专利权人：华联世纪工程咨询股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形范围的自动切图方法，属于CAD切图技术领域，包括：步骤一：获取目标图纸，识别目标图纸中的各单块图形，并生成各单块图形之间的关联值；步骤二：将各个单块图形进行合并，获得对应的整体图形；步骤三：识别各整体图形的中点，根据识别的中点确定整体图形范围；步骤四：根据获得的整体图形范围边界进行切图；通过将整个目标图纸进行单一化，获得若干个单块图形，再结合各单块图形的关联度和相互之间的距离，判断各相邻的单块图形是否属于同一图像，实现智能化的无图框图形的整合、划分，解决在无图框没有图形边界的情况下的图形切图问题，避免了采用人工的方式进行整体图纸的切图，提高用户的工作效率。
一种基于图形范围自动方法

[发明专利]集成电路的可制造性设计方法-CN200610029907.6有效
发明人：许丹;傅俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种集成电路的可制造性设计方法，包括：对初始设计图形进行密度计算，所述密度包括局部密度及整体密度；提取图形密度；调整图形密度至目标图形密度，所述目标图形密度包括局部目标图形密度及整体目标图形密度；根据所述目标图形密度确定可制造性图形密度准则；根据所述可制造性图形密度准则改进初始设计。
集成电路制造设计方法

[发明专利]预估MEEF较大图形的方法及系统-CN201510497384.7有效
发明人：王丹;于世瑞;毛智彪;王响;陈燕鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种预估MEEF较大图形的方法及系统，该方法包括：对原有光罩层整体增加偏移量a和整体减小偏移量b，得到整体增加偏移量a和整体减小偏移量b的光罩层图形A和光罩层图形B；利用OPC模型对该光罩层图形A和光罩层图形B进行模拟，得到光罩层图形A和光罩层图形B的模拟硅片图形AA和模拟硅片图形BB；对该模拟硅片图形AA和模拟硅片图形BB进行逻辑运算，得到差异图形；计算该差异图形的宽度，选出该差异图形宽度较大的位置，本发明可有效避免常规硅片热点检查中没有考虑到某些图形由于MEFF较大，可能和光罩的误差结合在一起，成为硅片上新的热点的问题，为后续的热点验证和工艺优化提供重要依据。
预估 meef 较大图形方法系统

[发明专利]计算装置、其功耗预测方法及计算机可读存储介质-CN201910514681.6有效
发明人：郭小尼 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：在一实施例中，取得图形处理器的漏泄功耗。取得图形处理器运行一帧图像所对应的开关功耗数据。依据开关功耗数据估算开关功耗。依据漏泄功耗及开关功耗得出此图形处理器的整体功耗，基于该整体功耗评估图形处理器处理一帧图像所需要的整体功耗，实现对图形处理器整体功耗性能的实时预测，提升调整效率。
计算装置功耗预测方法计算机可读存储介质

[发明专利]一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构-CN201811047914.8有效
发明人：包文中;郭晓娇;周鹏;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体为一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构。本发明的通孔掩膜版分体图形结构，以双面抛光的硅片为基底，包括正面图形和反面图形；正面图形包括从整体图形中分离的带有对准标记的高精度图形和带有对准标记的低精度图形，或者为分别带有对准标记多组不同精度的图形；反面图形，为涵括正面所有图形的方形，用于整体厚度减薄；通孔掩膜板在加工过程中，高精度图形和低精度图形先后使用，通过两者相同的对准标记进行位置对准，来完成整体图形的加工。本发明设计的高精度硅基掩膜版设计图形结构，具有机械强度高、重复使用性高、成本低、图形设计自由灵活等优势，能满足各领域对高精度通孔掩膜版的需求。
一种精密硅基通孔掩膜版分体图形结构

[发明专利]一种辅助图形的添加方法-CN201611259536.0有效
发明人：胡红梅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种辅助图形的添加方法，包括：提供一OPC目标图形，根据辅助图形基准规则，选取其中只能加入一根辅助图形部分的规则,建立辅助图形额外规则；把目标图形整体进行放大，使目标图形的所有边向外扩展A距离；基于辅助图形额外规则，将该辅助图形额外规则中相应目标图形之间的距离值减去2A；并且，基于A距离，将辅助图形额外规则中因目标图形整体放大而受到影响的其他参数进行相应调整；运行辅助图形额外规则，生成第一辅助图形；以第一辅助图形作为新增的参考图形，对目标图形执行辅助图形基准规则，生成第二辅助图形；将第一辅助图形，第二辅助图形和其它已有辅助图形叠加构成最终的辅助图形。
辅助图形目标图形基准规则放大减去叠加参考

[发明专利]CAD图形显示方法和装置以及图形显示处理程序的记录媒体-CN98105949.X无效
发明人：石田智利;宇佐美芳明;鹈沼宗利;好永俊昭;野中士郎;田中良子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-02-07 - 公布日： 1998-09-16 - 主分类号： G06T15/20 文献下载
摘要：可能早期掌握显示复合图形的整体图形的图形显示方法和装置以及图形显示处理程序的记录媒体。将由输入装置(101)输入的复合图形数据借助运算数据(102)的分区单元(201)在各零件中进行多个图形元素数据的分区,将分区得的图形元素数据由顺序附加单元(202)排序,将被排序的图形元素数据经显示装置那样的输出装置由此,在显示了一部分数据的早先阶段能掌握复合图形整体的梗概。
cad 图形显示方法装置以及处理程序记录媒体

[实用新型]CCD线阵相机精密检校装置-CN200820178123.4无效
发明人：叶泽田 -专利权人：北京四维远见信息技术有限公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：在整体支架上放置检测图形平面载体，检测图形置于检测图形平面载体上，整体支架水平调整装置位于整体支架的底部，与整体支架相连；在整体支架上安装两条相互平行的精密导轨；检测图形平面载体通过两个导轨滑动块悬于两精密导轨上；检测图形平面载体顶部设计有高精度水准气泡；驱动电机通过丝杠与导轨滑动块相连，带动检测图形平面载体沿精密导轨移动；载体位移编码器与电机同轴连接。
ccd 相机精密装置

[发明专利]一种接触层OPC方法-CN202310487630.5在审
发明人：何大权;陈翰;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种接触层OPC方法，包括在接触层目标图形中选择特征OPC图形，并选择相应的第一亚分辨率辅助图形得到第二亚分辨率辅助图形，以特征OPC图形对应的特征目标图形边为目标生成第三亚分辨率辅助图形，根据目标图形和第三亚分辨率辅助图形进行基于模型的OPC，得到最终OPC图形。本发明提供的接触层OPC方法，可以整体提高整体工艺窗口，避免OPC热点的产生，且通过在OPC处理流程中优化亚分辨率辅助图形，改善热点通孔图形的工艺窗口的同时，又不需要重复执行OPC流程，减少OPC方法优化流程及
一种接触 opc 方法

[发明专利]一种基于基本模块的掩模辅助图形优化方法-CN201210540770.6有效
发明人：马旭;李艳秋;宋之洋 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种基于基本模块的掩模辅助图形优化方法，在给定目标图形和掩模主体图形的前提下，本方法将掩模辅助图形构造为若干单边尺寸大于阈值的基本模块与表示基本模块位置的系数矩阵的卷积，将整体掩模图形构造为掩模主体图形与辅助图形的叠加；将优化目标函数F构造为目标图形与当前整体掩模图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方。之后本方法基于Abbe矢量成像模型，采用共轭梯度法对掩模辅助图形进行优化，并在优化结束后对辅助图形中的“无法制造的边缘凸起”进行修正。本方法可以在提高光刻系统成像质量和图形保真度的同时，有效提高优化后掩模的可制造性。
一种基于基本模块辅助图形优化方法

[发明专利]形成不同图形密度的光刻方法-CN200710094316.1有效
发明人：陈华伦;陈雄斌;陈瑜;熊涛;罗啸 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成不同图形密度的光刻方法，用于刻蚀宏负载效应测试，该光刻方法至少使用两块具有不同图形密度的光刻掩膜版，其中至少一块光刻掩膜版上具有测试图形，在硅片上的某个成阵列的不同单元内利用上述不同图形密度的光刻掩膜板按预定的位置光刻，使该阵列形成图像均匀的光刻图形，最终得到整体光刻图形密度。通过至少两块具不同图形密度的光刻掩膜版在基本单元上组合光刻，形成具有图形密度不同的整体光刻图形，有效了减少了研究刻蚀宏负载过程中光刻掩膜版的数量，降低研究成本。
形成不同图形密度光刻方法

[发明专利]基于通用地图控件的智能楼宇项目地图绘制方法-CN201610398497.6有效
发明人：宋胜利;胡志勇 -专利权人：武汉虹信技术服务有限责任公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种基于通用地图控件的智能楼宇项目地图绘制方法，包括初始化坐标系，配置实物坐标与地图坐标的对应关系；创建图层并管理图层记录，每个图层包含了整个地图的一个不同方面，用记录表示；绘制图形，包括基本图形、扩展点图形、扩展线图形和扩展矩形图形，进行图形样式表管理与数据绑定，包括通过数据绑定实现图层与记录的关联；将若干子图形进行组态处理，包括首先确定每个子图形在整体图形中的显示比例及每个子图形中心点离整体图形中心点的相对偏移，根据步骤三所得绘制好的各子图形，根据子图形的线节点坐标，设定直角方向，绘制楼宇项目中的管线。
基于通用地图控件智能楼宇项目绘制方法

[发明专利]智力学习星图拼图-CN202110983235.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：张俏
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： A63F9/10 文献下载
摘要：一种智力学习星图拼图，包括独立拼块图形、整体拼图。该智力学习星图拼图包括若干个独立的拼块图形，所述拼块图形的各个形状与星空中所观各星座区域对应相同，所述各拼块图形之间能够相互对应吻合拼接，组合成一幅完整的整体拼图图形。所述整体拼图图形的位置连接关系，是以各星座区域实际天文观测的方位为依据。
智力学习星图拼图

[发明专利]可制造性检测分析方法-CN201610766345.7有效
发明人：姜立维;阚欢;魏芳;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种可制造性检测分析方法，包括：对版图执行整体目标值修正以进行原始版图尺寸整体修正；对修正后的版图进行冗余图形填充以调整图形密度分布；执行图形逻辑运算，对形成目标工艺前置图形的数据图形层次进行数据逻辑运算产生前置目标图形；针对局部版图执行局部目标值修正以进行局部版图尺寸修正；执行基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型处理；对基于刻蚀偏差的光学临近效应修正模型修正过的图形进行模拟以产生刻蚀后轮廓图形；执行轮廓图形的工艺偏差调整；执行轮廓图形切割；执行几何信息提取；对提取的几何信息进行直接分析或者带入到相应工艺模型进行工艺模拟预测；对工艺模拟预测后的结果进行可制造性检测。
制造检测分析方法

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